Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

LMG1205YFXT

Name: Texas Instruments LMG1205YFXT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG1205YFXT
Price: 38.69 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-LMG1205YFXT

Tillverk: Nr.:

LMG1205YFXT

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

Styrdrivenheter 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXR

Datablad:

LMG1205YFXT Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments LMG1205YFXT

På lager: 61

Lager:: 61

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 6 500

Förväntad 2026-06-03
Fabrikens ledtid:: 6

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	38,69 kr	38,69 kr
	29,36 kr	293,60 kr
	27,03 kr	675,75 kr
	24,38 kr	2 438,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
	22,58 kr	5 645,00 kr
	21,94 kr	10 970,00 kr
	21,09 kr	21 090,00 kr
	20,78 kr	51 950,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DSBGA-12
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	2 Output
Utgångsström:	5 A
Minimal matningsspänning:	4.5 V
Maximal matningsspänning:	5.5 V
Stigtid:	7 ns
Falltid:	3.5 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG1205
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Maximal förseningstid vid avstängning:	50 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	50 ns
Arbetsström:	2 mA
Produkttyp:	Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	250
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	Si
Handelsnamn:	GaN
Enhetens vikt:	3,400 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

SPICE Models

Technical Resources

LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.

LMG1205 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LMG1205 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5V. This feature prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs which provide flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently.

LMG1025/LMG1025-Q1 GaN-drivkrets med halvbrygga

Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1 GaN Driver med halvbrygga är utformad för att driva både den höga och låga sidan förbättringsläge Gallium Nitride (GaN) FET i en synkron buck, boost eller halvbryggad konfiguration. Enheten har en integrerad 100 V bootstrap-diod och oberoende ingångar för utgångar på hög- och lågspänningssidan för maximal styrflexibilitet. Den höga sidans förspänningar genereras med hjälp av bootstrap-teknik. Den är internt spärrad vid 5 V, vilket förhindrar att gate-spänningen överskrider den maximala gate-source-märkspänningen för GaN-FET:ar i förbättringsläge. Ingångarna i LMG1205/LMG1025-Q1 är TTL-kompatibla och tål ingångsspänningar på upp till 14 V oavsett VDD-spänning. LMG1205/LMG1205-Q1 har utgångar med delad gate, vilket ger flexibilitet att självständigt justera påslags- och avstängningsstyrkan.