CSD25501F3T

Texas Instruments
595-CSD25501F3T
CSD25501F3T

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er #NAME?

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 170

Lager:
170
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
750
Förväntad 2026-04-20
Fabrikens ledtid:
6
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
13,08 kr 13,08 kr
6,08 kr 60,80 kr
4,51 kr 451,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
4,51 kr 1.127,50 kr
3,59 kr 1.795,00 kr
3,31 kr 3.310,00 kr
3,16 kr 7.900,00 kr
3,13 kr 15.650,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
3,56 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
260 mOhms
- 20 V, 20 V
1.05 V
1.02 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Falltid: 945 ns
Transkonduktans framåt - Min: 3.4 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 428 ns
Serie: CSD25501F3
Fabriksförpackningskvantitet: 250
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 1154 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 474 ns
Enhetens vikt: 0,300 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.