CSD25310Q2

Texas Instruments
595-CSD25310Q2
CSD25310Q2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 13 930

Lager:
13 930 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
5,25 kr 5,25 kr
3,31 kr 33,10 kr
2,22 kr 222,00 kr
1,82 kr 910,00 kr
1,62 kr 1.620,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,37 kr 4.110,00 kr
1,26 kr 7.560,00 kr
1,10 kr 9.900,00 kr
1,07 kr 25.680,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
5,16 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
P-Channel
1 Channel
20 V
20 A
23.9 mOhms
- 8 V, 8 V
550 mV
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Falltid: 5 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 15 ns
Serie: CSD25310Q2
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 15 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 8 ns
Enhetens vikt: 6 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.