CSD19537Q3

Texas Instruments
595-CSD19537Q3
CSD19537Q3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 587

Lager:
3 587 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
13,84 kr 13,84 kr
9,56 kr 95,60 kr
6,32 kr 632,00 kr
5,53 kr 2.765,00 kr
5,06 kr 5.060,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
4,53 kr 11.325,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
20,06 kr
Min:
1

Liknande produkt

Texas Instruments CSD19537Q3T
Texas Instruments
MOSFET:er 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
14.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Falltid: 3 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 3 ns
Serie: CSD19537Q3
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 5 ns
Enhetens vikt: 24 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are a 100V 12.1mΩ N-Channel NexFET™ power MOSFET that is designed to minimize losses in power conversion applications. This MOSFET features an ultra-low Qg and Qgd with low thermal resistance. It is also avalanche rated and comes in Pb-Free, halogen free RoHS complant SON-8 3.3mmx3.3mm plastic package. Typical applications include primary side isolated converters and motor control.
Learn More