Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD17309Q3

Name: Texas Instruments CSD17309Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17309Q3
Price: 16.22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD17309Q3

Tillverk: Nr.:

CSD17309Q3

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Datablad:

CSD17309Q3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD17309Q3

På lager: 4 832

Lager:: 4 832 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	16,22 kr	16,22 kr
	10,30 kr	103,00 kr
	6,89 kr	689,00 kr
	5,43 kr	2 715,00 kr
	5,06 kr	5 060,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	4,58 kr	11 450,00 kr
	4,25 kr	21 250,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VSON-CLIP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	7.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.8 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Utvecklingskit:	DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
Falltid:	3.6 ns
Transkonduktans framåt - Min:	67 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9.9 ns
Serie:	CSD17309Q3
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.1 ns
Enhetens vikt:	44,500 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CSD17309Q3 Datablad

Models

CSD17309Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Technical Resources

CSD17309Q3 TINA-TI Reference Design

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

CSD17309Q3 NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17309Q3 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The Texas Instruments CSD17309Q3 N-Channel NexFET MOSFET features ultra-low on-resistance and low thermal resistance. This MOSFET is ideal for notebook point of load and point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems applications.