Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD16340Q3

Name: Texas Instruments CSD16340Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16340Q3
Price: 15.26 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD16340Q3

Tillverk: Nr.:

CSD16340Q3

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

Datablad:

CSD16340Q3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD16340Q3

På lager: 258

Lager:: 258

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 22 500

Förväntad 2026-07-13
Fabrikens ledtid:: 12

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	15,26 kr	15,26 kr
	9,75 kr	97,50 kr
	6,48 kr	648,00 kr
	5,11 kr	2 555,00 kr
	4,66 kr	4 660,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	4,28 kr	10 700,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VSON-CLIP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	600 mV
Qg - Gate-laddning:	6.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.2 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16.1 ns
Serie:	CSD16340Q3
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13.8 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.8 ns
Enhetens vikt:	44,400 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and is optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD16340Q3 NexFET Power MOSFET is resistance rated at Vgs = 2.5V and also features ultra low Qg and Qgd. The TI CSD16340Q3 NexFET offers low thermal resistance and is also ideal for control or synchronous FET applications.