Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD16325Q5

Name: Texas Instruments CSD16325Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16325Q5
Price: 27.67 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD16325Q5

Tillverk: Nr.:

CSD16325Q5

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Datablad:

CSD16325Q5 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD16325Q5

På lager: 2 175

Lager:: 2 175 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	27,67 kr	27,67 kr
	17,91 kr	179,10 kr
	12,72 kr	1 272,00 kr
	10,21 kr	5 105,00 kr
	9,85 kr	9 850,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	9,12 kr	22 800,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VSON-CLIP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.1 V
Qg - Gate-laddning:	18 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3.1 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	159 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Serie:	CSD16325Q5
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10.5 ns
Enhetens vikt:	118 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFET: CSD16325Q5

The Texas Instruments CSD16325Q5 N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications. The TI CSD16325Q5 NexFET MOSFET is optimized for 5V gate drive applications and boasts ultralow Gate Charge Total and Gate Charge Gate to Drain and low thermal resistance. The TI CSD16325Q5 NexFET Power MOSFET is avalanche rated and optimized for Synchronous FET applications and Point-of-Load Synchronous Buck in networking, telecom, and computing systems.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.