Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD13383F4

Name: Texas Instruments CSD13383F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4
Price: 4.59 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD13383F4

Tillverk: Nr.:

CSD13383F4

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

Datablad:

CSD13383F4 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD13383F4

På lager: 34 652

Lager:: 34 652 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	4,59 kr	4,59 kr
	3,27 kr	32,70 kr
	2,04 kr	204,00 kr
	1,31 kr	655,00 kr
	1,20 kr	1.200,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,02 kr	3.060,00 kr
	0,905 kr	5.430,00 kr
	0,719 kr	6.471,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

CSD13383F4T

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

7,60 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

CSD13383F4T

Beskrivning:

MOSFET:er 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PICOSTAR-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	12 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	44 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	700 mV
Qg - Gate-laddning:	2.6 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	CSD13383F4
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	0,400 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CSD13383F4 Datablad

PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.