Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD13380F3

Name: Texas Instruments CSD13380F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13380F3
Price: 3.1 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD13380F3

Tillverk: Nr.:

CSD13380F3

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T

Datablad:

CSD13380F3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD13380F3

På lager: 202

Lager:: 202

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 18 000

Förväntad 2026-06-10
Fabrikens ledtid:: 12

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	3,10 kr	3,10 kr
	1,89 kr	18,90 kr
	1,19 kr	119,00 kr
	0,88 kr	440,00 kr
	0,753 kr	753,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	0,647 kr	1 941,00 kr
	0,562 kr	3 372,00 kr
	0,488 kr	4 392,00 kr
	0,466 kr	11 184,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

CSD13380F3T

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

13,04 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

CSD13380F3T

Beskrivning:

MOSFET:er 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PICOSTAR-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	12 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3.6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	76 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	550 mV
Qg - Gate-laddning:	1.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.4 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Falltid:	3 ns
Transkonduktans framåt - Min:	4.3 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4 ns
Serie:	CSD13380F3
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	11 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4 ns
Enhetens vikt:	0,300 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

SPICE Models

Technical Resources

CSD13380F3 TINA-TI Reference Design

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Kina

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.