CSD13202Q2

Texas Instruments
595-CSD13202Q2
CSD13202Q2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 703

Lager:
703
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
9 000
Förväntad 2026-02-27
15 000
Förväntad 2026-03-27
Fabrikens ledtid:
12
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
6,66 kr 6,66 kr
4,11 kr 41,10 kr
2,70 kr 270,00 kr
2,01 kr 1.005,00 kr
1,75 kr 1.750,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,54 kr 4.620,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
N-Channel
1 Channel
12 V
14.4 A
9.3 mOhms
- 8 V, 8 V
580 mV
5.1 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Falltid: 13.6 ns
Transkonduktans framåt - Min: 44 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 28 ns
Serie: CSD13202Q2
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 11 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 4.5 ns
Enhetens vikt: 6 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.