TSM650P03CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM650P03CXRFG
Price: 5.75 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM650P03CXRFG

Tillverk: Nr.:

TSM650P03CX RFG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM650P03CX RFG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 19 307

Lager:: 19 307 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	5,75 kr	5,75 kr
	3,52 kr	35,20 kr
	2,25 kr	225,00 kr
	1,70 kr	850,00 kr
	1,53 kr	1 530,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,28 kr	3 840,00 kr
	1,17 kr	7 020,00 kr
	1,01 kr	9 090,00 kr
	0,986 kr	23 664,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.1 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	55 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	400 mV
Qg - Gate-laddning:	8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.56 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	12.4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	19.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45.9 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.4 ns
Del # Alias:	TSM650P03CX
Enhetens vikt:	8 mg