Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TSM60NB900CP ROG

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM60NB900CPROG

Tillverk: Nr.:

TSM60NB900CP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

Livscykel:

Inaktuell

Datablad:

TSM60NB900CP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Leveransavisering:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Liknande produkt

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Tillverk: Nr.:

TSM60NC980CP ROG

Beskrivning:

MOSFET:er 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Leveransrestriktioner:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	690 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	9.6 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	36.8 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	8 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	10 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	36.4 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	18 ns
Del # Alias:	TSM60NB900CP
Enhetens vikt:	330 mg