Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TSM60NB1R4CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NB1R4CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NB1R4CPROG
Price: 17.91 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM60NB1R4CPROG

Tillverk: Nr.:

TSM60NB1R4CP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

TSM60NB1R4CP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 976

Lager:: 4 976 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 4976 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17,91 kr	17,91 kr
	11,45 kr	114,50 kr
	7,59 kr	759,00 kr
	6,22 kr	3 110,00 kr
	5,63 kr	5 630,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	4,95 kr	12 375,00 kr

Liknande produkt

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Tillverk: Nr.:

TSM60NC1R5CP ROG

Beskrivning:

MOSFET:er 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	7.12 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	28.4 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	8.4 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	11.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13.8 ns
Del # Alias:	TSM60NB1R4CP
Enhetens vikt:	330 mg