Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TSM2537CQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2537CQRFG
Price: 8.72 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM2537CQRFG

Tillverk: Nr.:

TSM2537CQ RFG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM2537CQ RFG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG

På lager: 6 209

Lager:: 6 209

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 12 000

Förväntad 2026-03-13
Fabrikens ledtid:: 20

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	8,72 kr	8,72 kr
	5,40 kr	54,00 kr
	3,52 kr	352,00 kr
	2,70 kr	1.350,00 kr
	2,44 kr	2.440,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,10 kr	6.300,00 kr
	1,93 kr	11.580,00 kr
	1,75 kr	15.750,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDFN22-6
Transistorns polaritet:	N-Channel, P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11.6 A, 9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	17 mOhms, 48 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	500 mV, 450 mV
Qg - Gate-laddning:	9.1 nC, 9.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	6.25 W, 6.25 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	30 ns, 68 ns
Transkonduktans framåt - Min:	28 S, 15 S
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	41 ns, 34 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	N- and P-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns, 69 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns, 10 ns
Del # Alias:	TSM2537CQ
Enhetens vikt:	94,742 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TSM2537CQ RFG Datablad

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.