TSM170N06CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM170N06CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM170N06CPROG
Price: 13.14 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM170N06CPROG

Tillverk: Nr.:

TSM170N06CP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM170N06CP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 10 658

Lager:: 10 658 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13,14 kr	13,14 kr
	8,28 kr	82,80 kr
	5,49 kr	549,00 kr
	4,28 kr	2 140,00 kr
	3,89 kr	3 890,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	3,47 kr	8 675,00 kr
	3,07 kr	15 350,00 kr
	2,88 kr	28 800,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	15 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	15 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	46 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	7.9 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	24.2 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32.3 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8.6 ns
Del # Alias:	TSM170N06CP
Enhetens vikt:	330 mg