TSM085N03PQ33 RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM085N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM085N03PQ33RGG
Price: 8.94 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM085N03PQ33RGG

Tillverk: Nr.:

TSM085N03PQ33 RGG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM085N03PQ33 RGG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 810

Lager:: 2 810 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	8,94 kr	8,94 kr
	5,57 kr	55,70 kr
	3,61 kr	361,00 kr
	2,78 kr	1 390,00 kr
	2,28 kr	2 280,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	2,04 kr	10 200,00 kr
	1,79 kr	17 900,00 kr
	1,72 kr	43 000,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PDFN33-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	13 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	14.3 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	37 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	8.2 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	12.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	27.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.8 ns
Del # Alias:	TSM085N03PQ33
Enhetens vikt:	304,151 mg