TSM060N03ECP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM060N03ECP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM060N03ECPROG
Price: 12.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM060N03ECPROG

Tillverk: Nr.:

TSM060N03ECP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM060N03ECP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 5 824

Lager:: 5 824 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	12,08 kr	12,08 kr
	7,59 kr	75,90 kr
	5,00 kr	500,00 kr
	3,89 kr	1 945,00 kr
	3,54 kr	3 540,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	3,14 kr	7 850,00 kr
	2,83 kr	14 150,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	70 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	11.1 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	54 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	9.6 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	14.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	35.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7.5 ns
Del # Alias:	TSM060N03ECP
Enhetens vikt:	330 mg