S34ML02G300TFI000

SkyHigh Memory
727-S34ML02G3TFI000
S34ML02G300TFI000

Tillverk:

Beskrivning:
NAND-flash 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 721

Lager:
721
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
576
Förväntad 2026-06-12
Fabrikens ledtid:
22
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
48,94 kr 48,94 kr
45,02 kr 450,20 kr
43,71 kr 1.092,75 kr
42,62 kr 2.131,00 kr
41,64 kr 3.997,44 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
SkyHigh Memory
Produktkategori: NAND-flash
SMD/SMT
TSOP-I-48
2 Gbit
Parallel
256 M x 8
Asynchronous
8 bit
2.7 V
3.6 V
35 mA
- 40 C
+ 85 C
Tray
Aktiv ström vid läsning - Max: 35 mA
Märke: SkyHigh Memory
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: NAND Flash
Fabriksförpackningskvantitet: 96
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.