SDS065J050H3-ISATH

Sanan Semiconductor
896-SDS065J050H3ISAT
SDS065J050H3-ISATH

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 300   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
59,04 kr 17 712,00 kr
56,18 kr 28 651,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Sanan Semiconductor
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
650 V
1.35 V
337 A
120 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Märke: Sanan Semiconductor
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning: 650 V
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.