DKR400AB60

SanRex
197-DKR400AB60
DKR400AB60

Tillverk:

Beskrivning:
Diodmoduler Discrete Semiconductor Modules 600V 400A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 12

Lager:
12
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
160
Förväntad 2026-09-02
110
Förväntad 2026-09-29
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
439,90 kr 439,90 kr
331,78 kr 3 317,80 kr
323,51 kr 32 351,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
SanRex
Produktkategori: Diodmoduler
RoHS-direktivet:  
Screw Mount
600 V
Non-Isolated
Dual-Common Cathode
1.4 V
- 40 C
+ 150 C
DKR
Tray
Märke: SanRex
Produkttyp: Diode Modules
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: Discrete and Power Modules
Teknologi: Si
Handelsnamn: SanRex
Enhetens vikt: 80 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Japan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Fast Recovery Diode Modules

SanRex Fast Recovery Diode Modules are high‑power semiconductor rectifier devices designed for use in industrial power conversion and motor control systems. These SanRex modules are optimized to handle high current and high voltage operation while maintaining fast reverse recovery characteristics, making the devices well-suited for modern high‑frequency switching applications. The modules employ fast recovery or soft recovery diode structures to minimize reverse recovery time and switching losses. This performance characteristic is critical when the diodes are used in conjunction with IGBTs, MOSFETs, and power transistors, where excessive recovery current can increase losses, electromagnetic noise, and device stress. By reducing the reverse recovery charge, these modules help improve overall system efficiency and reliability.