STWA65N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STWA65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N65DM2AG
Price: 98.05 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STWA65N65DM2AG

Tillverk: Nr.:

STWA65N65DM2AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 447 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	50 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	120 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	446 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	11.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	13.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	114 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	33 ns
Enhetens vikt:	6 g