STWA50N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STWA50N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA50N65DM2AG
Price: 40.81 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STWA50N65DM2AG

Tillverk: Nr.:

STWA50N65DM2AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Komplettera din design

Datablad:

STWA50N65DM2AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 600 Flera: 600

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	40,81 kr	24 486,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	87 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	69 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	300 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	STWA50N65DM2AG
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	6 g