STW43N60DM2

STMicroelectronics
511-STW43N60DM2
STW43N60DM2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 400

Lager:
2 400 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
68,67 kr 68,67 kr
48,40 kr 484,00 kr
40,33 kr 4.033,00 kr
35,86 kr 21.516,00 kr
32,05 kr 38.460,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
93 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 6 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 27 ns
Serie: STW43N60DM2
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 85 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 29 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.