STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics
511-STS8DN6LF6AG
STS8DN6LF6AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 109

Lager:
3 109 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 3109 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
16,22 kr 16,22 kr
10,39 kr 103,90 kr
6,93 kr 693,00 kr
5,48 kr 2 740,00 kr
5,00 kr 5 000,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
4,66 kr 11 650,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
8 A
21 mOhms, 21 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
3.2 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Dual
Falltid: 7 ns, 7 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 20 ns, 20 ns
Serie: STS8DN6LF6AG
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 56 ns, 56 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 9.6 ns, 9.6 ns
Enhetens vikt: 750 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.