STQ2NK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er PTD HIGH VOLTAGE

Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 94

Lager:
94 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 94 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
10,12 kr 10,12 kr
6,29 kr 62,90 kr
4,12 kr 412,00 kr
3,18 kr 1 590,00 kr
2,97 kr 2 970,00 kr
Komplett Ammunitionsförpackning (beställ i multiplar av 2000)
2,37 kr 4 740,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
400 mA
8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 25 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 30 ns
Serie: STQ2NK60ZR-AP
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 8 ns
Enhetens vikt: 453,600 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99