STQ1NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1NK60ZR-AP
Price: 9.02 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STQ1NK60ZR-AP

Tillverk: Nr.:

STQ1NK60ZR-AP

Tillverk:

STMicroelectronics

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 5 951 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	9,02 kr	9,02 kr
	5,60 kr	56,00 kr
	3,64 kr	364,00 kr
	2,80 kr	1 400,00 kr
	2,52 kr	2 520,00 kr
Komplett Ammunitionsförpackning (beställ i multiplar av 2000)
	2,29 kr	4 580,00 kr
	1,99 kr	7 960,00 kr
	1,84 kr	18 400,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-92-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	300 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	15 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	4.9 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperMESH
Förpackning:	Ammo Pack
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	28 ns
Transkonduktans framåt - Min:	0.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Serie:	STQ1NK60ZR
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.5 ns
Enhetens vikt:	453,600 mg