Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STQ1NC45R-AP

Name: STMicroelectronics STQ1NC45R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1NC45R-AP
Price: 9.85 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STQ1NC45R-AP

Tillverk: Nr.:

STQ1NC45R-AP

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er PTD HIGH VOLTAGE

Komplettera din design

Datablad:

STQ1NC45R-AP Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STQ1NC45R-AP

På lager: 451

Lager:: 451 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	9,85 kr	9,85 kr
	6,05 kr	60,50 kr
	3,98 kr	398,00 kr
	2,97 kr	1 485,00 kr
	2,68 kr	2 680,00 kr
	2,42 kr	4 840,00 kr
	2,11 kr	8 440,00 kr
	2,01 kr	20 100,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-92-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	450 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	500 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.5 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.3 V
Qg - Gate-laddning:	7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3.1 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.7 ns
Enhetens vikt:	453,600 mg