Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STPSC4G065UF

Name: STMicroelectronics STPSC4G065UF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4G065UF
Price: 22.47 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STPSC4G065UF

Tillverk: Nr.:

STPSC4G065UF

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

STPSC4G065UF Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STPSC4G065UF

På lager: 2 032

Lager:: 2 032

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 5 000

Förväntad 2026-07-03
Fabrikens ledtid:: 52

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	22,47 kr	22,47 kr
	14,31 kr	143,10 kr
	9,67 kr	967,00 kr
	7,78 kr	3 890,00 kr
	6,97 kr	6 970,00 kr
	6,75 kr	16 875,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	6,18 kr	30 900,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SMBF-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	10 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.3 V
Ifsm - Stötström framåt:	30 A
Ir - Motström:	4 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Enhetens vikt:	50 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STPSC4G065UF Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Marocko
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.