STPSC20G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC20G12WL
STPSC20G12WL

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 878

Lager:
878 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
25 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
101,48 kr 101,48 kr
56,46 kr 564,60 kr
55,26 kr 5.526,00 kr
53,19 kr 31.914,00 kr
51,88 kr 62.256,00 kr
25 200 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
Through Hole
DO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.35 V
180 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Märke: STMicroelectronics
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.