Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP80NF55-08

Name: STMicroelectronics STP80NF55-08
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80NF55-08
Price: 25.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP80NF55-08

Tillverk: Nr.:

STP80NF55-08

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 55 Volt 80 Amp

Komplettera din design

Datablad:

STP80NF55-08 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 994

Lager:: 994 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,86 kr	25,86 kr
	12,83 kr	128,30 kr
	11,55 kr	1 155,00 kr
	9,39 kr	4 695,00 kr
	8,88 kr	8 880,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	55 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	112 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	300 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q100
Handelsnamn:	STripFET
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Transkonduktans framåt - Min:	40 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	85 ns
Serie:	STP80NF55-08
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	70 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Enhetens vikt:	2 g