Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP35N60DM2

Name: STMicroelectronics STP35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP35N60DM2
Price: 44.84 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP35N60DM2

Tillverk: Nr.:

STP35N60DM2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET:er in TO-220 package

Komplettera din design

Datablad:

STP35N60DM2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STP35N60DM2

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	44,84 kr	44,84 kr
	23,11 kr	231,10 kr
	21,09 kr	2 109,00 kr
	17,38 kr	8 690,00 kr
	16,11 kr	16 110,00 kr
	15,48 kr	30 960,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	28 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	110 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	54 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	210 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	10.7 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17 ns
Serie:	STP35N60DM2
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	68 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	21.2 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STP35N60DM2 Datablad (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Singapore
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.