Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP33N60M6

Name: STMicroelectronics STP33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP33N60M6
Price: 49.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP33N60M6

Tillverk: Nr.:

STP33N60M6

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Komplettera din design

Datablad:

STP33N60M6 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STP33N60M6

På lager: 640

Lager:: 640 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	49,08 kr	49,08 kr
	32,54 kr	325,40 kr
	23,21 kr	2 321,00 kr
	19,19 kr	9 595,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	25 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	125 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.25 V
Qg - Gate-laddning:	33.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	190 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	7.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	33 ns
Serie:	Mdmesh M6
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	38.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	19.5 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STP33N60M6 Datablad (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ M6-MOSFET:ar

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFET:ar kombinerar en låg gate-laddning (Q_g) med en optimerad kapacitansprofil för målinriktning på högeffektiva nya topologier i strömomvandlingstillämpningar. MDmesh M6-seriens superkopplingar erbjuder extremt högeffektiv prestanda som resulterar i ökad effektdensitet och en låg gate-laddning för drift vid höga frekvenser. M6-seriens MOSFET:ar har en genomslagsspänning från 600 till 700 V. De finns i ett brett utbud av kapslingsalternativ inklusive en lösning med en blyfri TO-Leadless-kapsling (TO-LL), som möjliggör effektiv värmehantering. Enheterna omfattar ett brett intervall av driftspänningar för industriella tillämpningar, inklusive laddare, adaptrar, silverbox-moduler, LED-belysning, telekommunikation, servrar och solenergi.