Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP19NM50N

Name: STMicroelectronics STP19NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP19NM50N
Price: 36.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP19NM50N

Tillverk: Nr.:

STP19NM50N

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

Komplettera din design

Datablad:

STP19NM50N Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STP19NM50N

På lager: 644

Lager:: 644 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	36,46 kr	36,46 kr
	24,49 kr	244,90 kr
	22,68 kr	2 268,00 kr
	19,40 kr	9 700,00 kr
	19,08 kr	19 080,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	14 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	250 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	34 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	110 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	17 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Serie:	STP19NM50N
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Enhetens vikt:	2 g