STP15N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STP15N60M2-EP
STP15N60M2-EP

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 962

Lager:
1 962 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
23,21 kr 23,21 kr
13,36 kr 133,60 kr
9,93 kr 993,00 kr
8,05 kr 4 025,00 kr
7,20 kr 7 200,00 kr
6,39 kr 63 900,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
378 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 15 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 10 ns
Serie: STP15N60M2-EP
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11 ns
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.