Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP11NM60

Name: STMicroelectronics STP11NM60
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11NM60
Price: 50.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP11NM60

Tillverk: Nr.:

STP11NM60

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 600 Volt 11 Amp

Komplettera din design

Datablad:

STP11NM60 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 111

Lager:: 111

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 000

Förväntad 2027-04-05
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	50,24 kr	50,24 kr
	26,29 kr	262,90 kr
	26,08 kr	2 608,00 kr
	19,82 kr	9 910,00 kr
	18,87 kr	18 870,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	450 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	30 nC
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	160 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	11 ns
Transkonduktans framåt - Min:	5.2 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20 ns
Serie:	STP11NM60
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	2 g