Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP11N60DM2

Name: STMicroelectronics STP11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11N60DM2
Price: 7.01 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP11N60DM2

Tillverk: Nr.:

STP11N60DM2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

STP11N60DM2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1000 Flera: 1000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	7,01 kr	7 010,00 kr
	6,63 kr	13 260,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	370 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	16.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	110 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6.3 ns
Serie:	STP11N60DM2
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11.7 ns
Enhetens vikt:	2 g