STO36N60M6

STMicroelectronics
511-STO36N60M6
STO36N60M6

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 482

Lager:
482 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 482 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
55,01 kr 55,01 kr
36,78 kr 367,80 kr
26,50 kr 2 650,00 kr
26,29 kr 13 145,00 kr
24,59 kr 24 590,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1800)
24,59 kr 44 262,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
99 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 7.3 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 5.3 ns
Serie: MDmesh M6
Fabriksförpackningskvantitet: 1800
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 50.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 15.2 ns
Enhetens vikt: 76 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Malaysia
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ M6-MOSFET:ar

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFET:ar kombinerar en låg gate-laddning (Qg) med en optimerad kapacitansprofil för målinriktning på högeffektiva nya topologier i strömomvandlingstillämpningar. MDmesh M6-seriens superkopplingar erbjuder extremt högeffektiv prestanda som resulterar i ökad effektdensitet och en låg gate-laddning för drift vid höga frekvenser. M6-seriens MOSFET:ar har en genomslagsspänning från 600 till 700 V. De finns i ett brett utbud av kapslingsalternativ inklusive en lösning med en blyfri TO-Leadless-kapsling (TO-LL), som möjliggör effektiv värmehantering. Enheterna omfattar ett brett intervall av driftspänningar för industriella tillämpningar, inklusive laddare, adaptrar, silverbox-moduler, LED-belysning, telekommunikation, servrar och solenergi.