STLD200N4F6AG

STMicroelectronics
511-STLD200N4F6AG
STLD200N4F6AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 251

Lager:
2 251 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
37,61 kr 37,61 kr
24,74 kr 247,40 kr
17,99 kr 1.799,00 kr
15,91 kr 7.955,00 kr
15,59 kr 15.590,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
12,86 kr 32.150,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.27 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
172 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 410 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 440 ns
Serie: STLD200N4F6AG
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 600 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 150 ns
Enhetens vikt: 76 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.