STL45N60DM6

STMicroelectronics
511-STL45N60DM6
STL45N60DM6

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 682

Lager:
2 682 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 2682 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
68,13 kr 68,13 kr
48,51 kr 485,10 kr
37,82 kr 3 782,00 kr
35,64 kr 17 820,00 kr
32,37 kr 32 370,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
32,37 kr 97 110,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 7.3 ns
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 5.3 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 15 ns
Enhetens vikt: 180 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.