STL38DN6F7AG

Name: STMicroelectronics STL38DN6F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL38DN6F7AG
Price: 16.64 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STL38DN6F7AG

Tillverk: Nr.:

STL38DN6F7AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 2 990 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 23 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	16,64 kr	16,64 kr
	10,39 kr	103,90 kr
	6,85 kr	685,00 kr
	5,44 kr	2 720,00 kr
	4,83 kr	4 830,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,26 kr	12 780,00 kr
	4,18 kr	25 080,00 kr
	4,08 kr	36 720,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-5x6-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	27 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	7.9 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	57.7 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Dual
Falltid:	5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9 ns
Serie:	STL38DN6F7AG
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	16 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Enhetens vikt:	76 mg