Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STL33N60M6

Name: STMicroelectronics STL33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL33N60M6
Price: 19.82 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STL33N60M6

Tillverk: Nr.:

STL33N60M6

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 21 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

Komplettera din design

Datablad:

STL33N60M6 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 3000 Flera: 3000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	19,82 kr	59 460,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-8x8-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	21 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	137 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.25 V
Qg - Gate-laddning:	33.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Reel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	7.5 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	33 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	38.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	19.5 ns
Enhetens vikt:	180 mg