STL105DN4LF7AG

Name: STMicroelectronics STL105DN4LF7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL105DN4LF7AG
Price: 29.1 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STL105DN4LF7AG

Tillverk: Nr.:

STL105DN4LF7AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er Automotive-grade dual N-channel 40 V, 3.5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSF

Komplettera din design

Datablad:

STL105DN4LF7AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	29,10 kr	29,10 kr
	18,64 kr	186,40 kr
	12,64 kr	1.264,00 kr
	10,59 kr	5.295,00 kr
	9,84 kr	9.840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	9,13 kr	27.390,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-5x6-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.5 V
Qg - Gate-laddning:	27.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	94 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.5 ns
Serie:	STL105DN4LF7AG
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	48.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns
Enhetens vikt:	76 mg