STH65N050DM9-7AG

Name: STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH65N050DM9-7AG
Price: 82.04 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STH65N050DM9-7AG

Tillverk: Nr.:

STH65N050DM9-7AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

STH65N050DM9-7AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG

På lager: 994

Lager:: 994 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	82,04 kr	82,04 kr
	56,29 kr	562,90 kr
	44,73 kr	4 473,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	41,87 kr	41 870,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	51 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	50 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	100 nC
Minsta drifttemperatur:	- 50 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	266 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	7 ns
Serie:	MDmesh M9
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	80 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	29 ns
Enhetens vikt:	1,540 g