Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 58.72 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STH3N150-2

Tillverk: Nr.:

STH3N150-2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

Komplettera din design

Datablad:

STH3N150-2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STH3N150-2

På lager: 6 097

Lager:: 6 097 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	58,72 kr	58,72 kr
	39,43 kr	394,30 kr
	28,30 kr	2 830,00 kr
	26,29 kr	13 145,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	22,15 kr	22 150,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H2PAK-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.5 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	29.3 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	140 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerMESH
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	SG
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Falltid:	61 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	47 ns
Serie:	STH3N150-2
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	24 ns
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STH3N150-2 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.