STH3N150-2

STMicroelectronics
511-STH3N150-2
STH3N150-2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 815

Lager:
815
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 000
Förväntad 2026-04-13
Fabrikens ledtid:
13
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
51,99 kr 51,99 kr
37,17 kr 371,70 kr
27,25 kr 2.725,00 kr
27,03 kr 13.515,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
22,78 kr 22.780,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
2.5 A
9 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
29.3 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
PowerMESH
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 61 ns
Transkonduktans framåt - Min: 2.6 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 47 ns
Serie: STH3N150-2
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 45 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 24 ns
Enhetens vikt: 4 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors