STGY80H65DFB

STMicroelectronics
511-STGY80H65DFB
STGY80H65DFB

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 28

Lager:
28 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 28 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
119,78 kr 119,78 kr
84,59 kr 845,90 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
- 20 V, 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
STGY80H65
Tube
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 80 A
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Gate-sändarens läckström: 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 5 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99