STGWA25H120DF2

STMicroelectronics
511-STGWA25H120DF2
STGWA25H120DF2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
50,99 kr 50,99 kr
30,95 kr 309,50 kr
25,12 kr 2 512,00 kr
21,09 kr 12 654,00 kr
19,82 kr 23 784,00 kr
19,19 kr 57 570,00 kr
10 200 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
50 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA25H120DF2
Tube
Märke: STMicroelectronics
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Gate-sändarens läckström: 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 6,100 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99