Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STGW8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW8M120DF3
Price: 43.71 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGW8M120DF3

Tillverk: Nr.:

STGW8M120DF3

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

Komplettera din design

Datablad:

STGW8M120DF3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STGW8M120DF3

På lager: 344

Lager:: 344 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	43,71 kr	43,71 kr
	28,89 kr	288,90 kr
	22,56 kr	2.256,00 kr
	20,06 kr	12.036,00 kr
	17,11 kr	20.532,00 kr
	16,13 kr	48.390,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.85 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	16 A
Pd - Effektavledning:	167 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	M
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Gate-sändarens läckström:	250 uA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	IGBTs
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGW8M120DF3 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.