STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Komplettera din design

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 226

Lager:
226 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
74,62 kr 74,62 kr
59,78 kr 597,80 kr
48,44 kr 4 844,00 kr
38,05 kr 22 830,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
470 W
- 55 C
+ 175 C
STGW80H65DFB-4
Tube
Märke: STMicroelectronics
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 4,430 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.