STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 52.43 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGW75H65DFB2-4

Tillverk: Nr.:

STGW75H65DFB2-4

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

Komplettera din design

Datablad:

STGW75H65DFB2-4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4

På lager: 598

Lager:: 598 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	52,43 kr	52,43 kr
	38,04 kr	380,40 kr
	34,77 kr	3.477,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.55 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	115 A
Pd - Effektavledning:	357 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	IGBTs
Enhetens vikt:	4,430 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGW75H65DFB2-4 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.