Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 38.7 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGW30H65FB

Tillverk: Nr.:

STGW30H65FB

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Komplettera din design

Datablad:

STGW30H65FB Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 90

Lager:: 90

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 600

Förväntad 2026-08-24
Fabrikens ledtid:: 14

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	38,70 kr	38,70 kr
	21,80 kr	218,00 kr
	15,04 kr	1.504,00 kr
	13,84 kr	8.304,00 kr
	13,52 kr	16.224,00 kr
	13,08 kr	39.240,00 kr
	12,97 kr	70.038,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.75 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	30 A
Pd - Effektavledning:	260 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGW30H65FB
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.:	60 A
Gate-sändarens läckström:	250 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	IGBTs
Enhetens vikt:	38 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGW30H65FB Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.